发射辐射的器件和用于制造发射辐射的器件的方法

摘要

提出了一种发射辐射的器件，其具有支承体(1)和至少一个设置在支承体上的半导体芯片(2)。半导体芯片(2)具有用于产生电磁辐射的有源层和第一接触层(21)。支承体(1)至少具有第一接触结构和第二接触结构(4a，4b)，用于电接触所述至少一个半导体芯片(2)。半导体芯片(2)通过第一接触层(21)与第一接触结构(4a)导电连接。在半导体芯片(2)的至少一个侧面上至少局部地设置有钝化层(5)。在钝化层(5)的至少一个部分区域上设置有第二接触层(6)，第二接触层从半导体芯片(2)的背离支承体(1)的表面通过钝化层(5)引导至第二接触结构(4b)。半导体芯片(2)并不具有生长衬底(10)。此外，提出了一种用于制造这种器件的方法。

主权项

一种发射辐射的器件，其具有支承体(1)和设置在支承体上的至少一个半导体芯片(2)，其中‑半导体芯片(2)具有用于产生电磁辐射的有源层和第一接触层(21)，‑支承体(1)至少具有第一接触结构和第二接触结构(4a，4b)，用于电接触所述至少一个半导体芯片(2)，‑半导体芯片(2)通过第一接触层(21)与第一接触结构(4a)导电连接，‑在半导体芯片(2)的至少一个侧面上至少局部地设置有钝化层(5)，‑在钝化层(5)的至少一个部分区域上设置有第二接触层(6)，该第二接触层从半导体芯片(2)的背离支承体(1)的表面通过钝化层(5)引导至第二接触结构(4b)，以及‑半导体芯片(2)不具有生长衬底(10)。