集成电路芯片

摘要

一种集成电路芯片，其包括开关LDMOS元件以及模拟LDMOS元件，位于具有第一导电类型的基底上。开关LDMOS元件以及模拟LDMOS元件二者的组成构件相同且分别包括二栅极导电层，分别位于上述基底的二第一有源区上。具有第二导电类型的共用漏极接触区，位于第二有源区中，第二有源区位于上述多个第一有源区之间。此外，还包括隔离结构，分隔上述第二有源区与上述多个第一有源区。各第一有源区与上述第二有源区之间的上述隔离结构在沿着各栅极导电层下方的沟道的沟道长度方向上的长度为A，且位于各第一有源区上的各栅极导电层在沿着上述沟道的上述沟道长度方向上的长度为L，开关LDMOS元件以及模拟LDMOS元件具有不同A/L值。

主权项

一种集成电路芯片，包括：多个具有不同额定电压的横向双扩散金属氧化物半导体元件，位于具有第一导电类型的基底上，各横向双扩散金属氧化物半导体元件的组成构件相同且分别包括：二栅极导电层，分别位于该基底的二第一有源区上；具有第二导电类型的共用漏极接触区，位于第二有源区中，该第二有源区位于该些第一有源区之间；隔离结构，分隔该第二有源区与该些第一有源区，其中，各该第一有源区与该第二有源区之间的该隔离结构在沿着各该栅极导电层下方的沟道的沟道长度方向上的长度为A，且位于各该第一有源区上的各该栅极导电层在沿着该沟道的该沟道长度方向上的长度为L，该些具有不同额定电压的横向双扩散金属氧化物半导体元件具有不同A/L值。