一种MgB₂基复合元素掺杂超导体的制备方法

摘要

本发明提供一种MgB2基复合元素掺杂超导体的制备方法，制备过程为：首先将干燥的镁粉、硼粉和Ti3SiC2粉末按照一定比例充分混合1-2小时，将混合后的粉末压制成型；然后将其置于真空退火炉中，在纯氩气或氩气与氢气的混合气的保护下，在700℃-1000℃的温度下保温1-10小时；最后冷却至室温，便制成高临界电流密度的MgB2基复合元素掺杂超导体。采用本发明制备MgB2基超导体，在改变MgB2基超导体晶体结构的同时引入了第二相粒子作为有效钉扎中心，所获得的MgB2基超导体在3特斯拉以上的背景磁场中具有高的临界电流密度，可实现MgB2基超导材料的低成本制备，有效改善了MgB2基超导体的磁通钉扎。

主权项

一种MgB2基复合元素掺杂超导体的制备方法，其特征在于所述制备方法步骤为：(1)将干燥的镁粉、硼粉和Ti3SiC2粉末按照摩尔比Mg∶B∶Ti3SiC2＝1‑0.3x∶2‑0.5x∶x的比例充分混合1‑2小时，其中0.05≤x≤0.30；(2)将步骤(1)中混合后的粉末用油压机压制成片材或块材；然后将所述片材或块材置于真空退火炉中，于室温下对所述真空退火炉抽真空，待所述真空退火炉真空度达到10‑3Pa后充入纯氩气或氩气与氢气的混合气，所述氩气与氢气的体积百分比为24∶1，然后以60℃/分钟‑100℃/分钟的升温速率将所述片或块材加热，在700℃‑1000℃的温度下保温1‑10小时；最后以25℃/分钟‑50℃/分钟的冷却速率将所述片材或块材冷却至室温，便制成MgB2基复合元素掺杂超导体。