发明名称 |
一种钼质真空吸头 |
摘要 |
本实用新型公开了一种钼质真空吸头,其包括一由钼金属材质制成的真空吸头本体,该真空吸头本体外形为阶梯形状,在所述真空吸头本体的底面外缘设置有一向下延伸的环凸缘,所述环凸缘的内环面与所述底面的一部分界定出一真空吸附腔,所述环凸缘的底面构成用以吸附半导体硅片的吸着面,在该真空吸头本体内设置有一接真空管的轴向孔,该轴向孔与所述的真空吸附腔连通。本实用新型采用钼金属进行加工制作,可以有效的避免其他材质易引发机械伤和摩擦所致的各类吸头痕迹的问题;且由于钼金属能适应各种严酷的环境,大大增加了本实用新型的使用范围;而钼金属较低的污染性,可以有效解决半导体硅片加工时易受金属污染的问题。 |
申请公布号 |
CN201736230U |
申请公布日期 |
2011.02.09 |
申请号 |
CN201020247410.3 |
申请日期 |
2010.07.02 |
申请人 |
上海申和热磁电子有限公司 |
发明人 |
王聪 |
分类号 |
B25J15/06(2006.01)I |
主分类号 |
B25J15/06(2006.01)I |
代理机构 |
上海天翔知识产权代理有限公司 31224 |
代理人 |
吕伴 |
主权项 |
一种钼质真空吸头,其特征在于,该钼质真空吸头包括一由钼金属材质制成的真空吸头本体,该真空吸头本体外形为阶梯形状,在所述真空吸头本体的底面外缘设置有一向下延伸的环凸缘,所述环凸缘的内环面与所述底面的一部分界定出一真空吸附腔,所述环凸缘的底面构成用以吸附半导体硅片的吸着面,在所述真空吸头本体内设置有一接真空管的轴向孔,所述轴向孔与所述的真空吸附腔连通。 |
地址 |
200444 上海市宝山区城市工业园区山连路181号 |