| 发明名称 | 低蚀刻性较厚光刻胶清洗液 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种低蚀刻性的适用于清洗较厚光刻胶的清洗液，其特征是含有氢氧化钾、二甲基亚砜、苯甲醇和乙醇胺。本发明的清洗液可以用于除去金属、金属合金或电介质基材上的光刻胶(光阻)和其它残留物，尤其适用于较厚(厚度大于100微米)光刻胶的清洗，同时对于Cu(铜)等金属具有较低的蚀刻速率，在半导体晶片清洗等微电子领域具有良好的应用前景。 | ||
| 申请公布号 | CN101522879B | 申请公布日期 | 2011.02.09 |
| 申请号 | CN200780037544.3 | 申请日期 | 2007.11.12 |
| 申请人 | 安集微电子（上海）有限公司 | 发明人 | 刘兵;彭洪修;史永涛 |
| 分类号 | C11D7/34(2006.01)I;G03F7/42(2006.01)I | 主分类号 | C11D7/34(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海翰鸿律师事务所 31246 | 代理人 | 李伟铭 |
| 主权项 | 一种低蚀刻性较厚光刻胶清洗液，其特征是含有氢氧化钾、二甲基亚砜、苯甲醇和乙醇胺，其中：所述的氢氧化钾的含量是质量百分比0.1‑10％；所述的二甲基亚砜的含量是质量百分比20‑98.8％；所述的苯甲醇的含量是质量百分比1‑50％；所述的乙醇胺的含量是质量百分比0.1‑50％。 | ||
| 地址 | 200120 中国上海市浦东新区张江高科技园区龙东大道3000号5号楼613-618室 | ||