控制等离子密度分布的设备和方法

摘要

多个RF功率传输路径限定为从RF功率源经过匹配网络、传输电极和该等离子延伸到多个回路电极。多个调谐元件分别设置在该多个RF功率传输路径内。每个调谐元件限定为调节将经过设有该调谐元件的该RF功率传输路径传输的RF功率的量。特定RF功率传输路径附近内的等离子密度与经过该特定RF功率传输路径传输的RF功率成正比。所以，对经过该RF功率传输路径传输的RF功率的调节，如该调谐元件所做的，能够控制整个基片的等离子密度分布。

主权项

一种用于半导体晶片处理的等离子处理系统，包括：由封闭处理容积的壁所形成的处理室，其中接地回路限定为从处理室的壁至基准接地电位；射频(RF)功率源；匹配网络，连接到该RF功率源；设置在该处理室内的传输电极，该传输电极连接到该匹配网络，其中该传输电极限定为将RF功率传输到将在容积内产生的等离子；多个回路电极，设在该处理室内并连接到该基准接地电位；多个RF功率传输路径，其从该RF功率源经过该匹配网络、该传输电极和该等离子延伸到该多个回路电极；以及多个调谐元件，分别设置在该多个RF功率传输路径内，该多个调谐元件的每个限定为调节经过设有该调谐元件的RF功率传输路径传输的RF功率的量，在该等离子处理系统运行过程中，特定RF功率传输路径附近内的等离子密度与经过该特定RF功率传输路径传输的RF功率的量呈正比；其中该多个调谐元件包括限定在该传输电极和从该处理室的壁延伸到该基准接地电位的该接地回路之间的可调节电容元件；其中该多个调谐元件包括限定在从该处理室的壁延伸到该基准接地电位的该接地回路内的可调节电感元件；其中该多个调谐元件包括限定在RF功率传输路径从该匹配网络到该传输电极的区段内的多个可调节电感元件；以及其中该多个调谐元件包括限定在RF功率传输路径从该匹配网络到该传输电极的区段和该基准接地电位之间的多个可调节电感元件。