发明名称 |
凹凸图案形成方法和利用该方法的磁记录介质的制造方法 |
摘要 |
本发明的目的在于提供使用氧蚀刻耐性优异且适用期长的抗蚀剂形成材料的、可以在常温下矩形性良好地进行压印(压纹)的凹凸图案形成方法。本发明的凹凸图案形成方法的特征在于,包括下述工序(1)、工序(2)和工序(3),工序(1):将包含下述组成式(A)所表示的倍半硅氧烷化合物的溶液涂布在被加工材料表面上以形成薄膜,工序(2):将具有凹凸图案的母模按压在该薄膜上,工序(3):将所述母模从所述薄膜上剥离。R1R2Si2O3组成式(A)(在上述组成式(A)中,R1和R2各自独立地表示特定基团。)。 |
申请公布号 |
CN101970209A |
申请公布日期 |
2011.02.09 |
申请号 |
CN200980103147.0 |
申请日期 |
2009.01.28 |
申请人 |
昭和电工株式会社 |
发明人 |
今井直行;森中克利;内田博;坂脇彰;福岛正人 |
分类号 |
B29C59/02(2006.01)I;G11B5/84(2006.01)I;H01L21/027(2006.01)I |
主分类号 |
B29C59/02(2006.01)I |
代理机构 |
北京市中咨律师事务所 11247 |
代理人 |
段承恩;田欣 |
主权项 |
一种凹凸图案形成方法,其特征在于,包括下述工序(1)、工序(2)和工序(3),工序(1):将包含下述组成式(A)所表示的、通过凝胶渗透色谱测定的标准聚苯乙烯换算的重均分子量为10000以上的倍半硅氧烷化合物的溶液涂布在被加工材料表面上以形成薄膜,工序(2):将具有凹凸图案的母模按压在该薄膜上,工序(3):将所述母模从所述薄膜上剥离,R1R2Si2O3 组成式(A)在上述组成式(A)中,R1和R2各自独立地表示可以被取代的碳原子数为1~8的烷基、可以被取代的碳原子数为2~8的链烯基、可以被取代的碳原子数为1~6的烷氧基或可以被取代的碳原子数为6~10的芳基。 |
地址 |
日本东京都 |