一种黑硅MSM结构光电探测器及其制备方法

摘要

本发明公开了一种黑硅MSM光电探测器，包括单晶硅衬底，其特征在于，在所述单晶硅衬底表面设置有作为光敏区的黑硅薄膜层，在所述黑硅薄膜层设有叉指电极，叉指电极下方设有势垒层，在没有设置叉指电极的区域设置有钝化层。该器件具有宽的光谱响应范围和较高的响应度，可以用以对紫外、可见或者近红外光探测。

主权项

一种黑硅MSM光电探测器，包括单晶硅衬底，其特征在于，在所述单晶硅衬底表面设置有作为光敏区的黑硅薄膜层，在所述黑硅薄膜层设有叉指电极，叉指电极下方设有势垒层，在没有设置叉指电极的区域设置有钝化层。