| 发明名称 | 一种鳍型隧穿晶体管集成电路及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明属于半导体集成电路制造技术领域，具体为一种鳍型隧穿晶体管集成电路及其制备方法。在基于绝缘体上的硅衬底的基础上，在隧穿晶体管中采用鳍型栅结构，并且采用高k介质作为栅介质，采用低k介质作为边墙材料。本发明所提出的鳍型隧穿晶体管集成电路，在提高集成电路驱动电流的同时，可以加快集成电路的开关速度，降低芯片功耗。进一步地，本发明还公开了所述鳍型隧穿晶体管集成电路的制造方法。 | ||
| 申请公布号 | CN101969061A | 申请公布日期 | 2011.02.09 |
| 申请号 | CN201010293306.2 | 申请日期 | 2010.09.27 |
| 申请人 | 复旦大学 | 发明人 | 臧松干;刘昕彦;王鹏飞;张卫 |
| 分类号 | H01L27/088(2006.01)I;H01L29/10(2006.01)I;H01L21/786(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/088(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人 | 陆飞;盛志范 |
| 主权项 | 一种鳍型隧穿晶体管集成电路，其特征在于，该隧穿晶体管集成电路基于绝缘体上的硅衬底，在所述隧穿晶体管中采用鳍型栅结构，并且采用高k介质作为栅介质，采用低k介质做为边墙材料。 | ||
| 地址 | 200433 上海市杨浦区邯郸路220号 | ||