| 发明名称 | 固态成像装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种固态成像器件，包括：第一导电型的半导体衬底，具有设置在其表面上的扩散层区；第一导电型的用于像素分离的扩散层，其底部形成在所述扩散层区在像素区中的最深位置处；以及第一导电型的第一深扩散层，设置在所述扩散层区在第一外围逻辑区中的最深位置处，用于电连接所述半导体衬底和所述第一外围逻辑区，并且具有与所述用于像素分离的扩散层相等的第一浓度梯度。 | ||
| 申请公布号 | CN101971342A | 申请公布日期 | 2011.02.09 |
| 申请号 | CN200980108807.4 | 申请日期 | 2009.02.05 |
| 申请人 | 株式会社东芝 | 发明人 | 小池英敏 |
| 分类号 | H01L27/146(2006.01)I;H04N5/335(2011.01)I | 主分类号 | H01L27/146(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 吕林红 |
| 主权项 | 一种固态成像器件，包括：第一导电型的半导体衬底，具有设置在其表面上的扩散层区；第一导电型的用于像素分离的扩散层，其底部形成在所述扩散层区在像素区中的最深位置处；以及第一导电型的第一深扩散层，设置在所述扩散层区在第一外围逻辑区中的最深位置处，用于电连接所述半导体衬底和所述第一外围逻辑区，并且具有与所述用于像素分离的扩散层相等的第一浓度梯度。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||