| 发明名称 | 集成电路长、短沟道金属栅极器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 提供一种用于制造集成电路的方法，该集成电路包含由层间电介质(interlayer dielectric)(75)分别覆盖的短沟道(short channel；SC)器件(16)和长沟道(long channel；LC)器件(18)。该SC器件(16)具有SC栅极堆叠(gate stack)(34)并且该LC器件(18)初始具有伪栅极(dummy gate)(50)。在一个实施例中，该方法包括以下步骤：移除该伪栅极(50)以形成LC器件沟槽(trench)(96)，以及沉积金属栅极材料(98)于该SC器件(16)与该LC器件(18)上方。该金属栅极材料(98)接触该SC栅极堆叠(34)并且实质上填满该LC器件沟槽(96)。 | ||
| 申请公布号 | CN101971323A | 申请公布日期 | 2011.02.09 |
| 申请号 | CN200980108933.X | 申请日期 | 2009.03.13 |
| 申请人 | 先进微装置公司 | 发明人 | R·J·卡特;M·J·哈格罗夫;G·J·克卢特;J·G·佩尔兰 |
| 分类号 | H01L21/8234(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/8234(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人 | 程伟;王锦阳 |
| 主权项 | 一种用于制造集成电路的方法，该集成电路包含由层间电介质(75)分别覆盖的短沟道(SC)器件(16)和长沟道(LC)器件(18)，该SC器件(16)具有SC栅极堆叠(34)并且该LC器件(18)初始具有伪栅极(50)，该方法包括：移除该伪栅极(50)以形成LC器件沟槽(96)；以及沉积金属栅极材料(98)于该SC器件(16)与该LC器件(18)上方，该金属栅极材料(98)接触该SC栅极堆叠(34)并且实质上填满该LC器件沟槽(96)。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||