发明名称 闸阀和半导体制造装置
摘要 本发明提供一种闸阀和半导体制造装置,该闸阀能防止因密封构件的老化所导致的密封性的降低和颗粒的产生,能保持半导体制造装置的运转率。该闸阀(20)设在半导体制造装置的进行工艺处理的处理单元(10)和输送被实施工艺处理的晶圆的输送室(8)之间,其包括:处理单元(10)侧的闸阀(20a)、设置在处理单元(10)侧闸阀(20a)中的O型密封圈(34a)、输送室(8)侧的闸阀(20b)、设置在输送室(8)侧闸阀(20b)中的O型密封圈(34b)、以及位于处理单元(10)侧闸阀(20a)和输送室(8)侧闸阀(20b)之间的隔热件(30)。
申请公布号 CN101533762B 申请公布日期 2011.02.09
申请号 CN200910127011.5 申请日期 2009.03.10
申请人 东京毅力科创株式会社 发明人 河本慎二;野泽俊久
分类号 H01L21/00(2006.01)I;H01L21/677(2006.01)I;F16K3/00(2006.01)I 主分类号 H01L21/00(2006.01)I
代理机构 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 代理人 刘新宇;张会华
主权项 一种闸阀,设在半导体制造装置的进行工艺处理的工艺处理室和输送被实施上述工艺处理的基板的输送室之间,其特征在于,其包括:对上述工艺处理室侧的开口部进行开闭的工艺处理室侧闸阀;设置在上述工艺处理室侧闸阀中、对上述工艺处理室的开口和上述工艺处理室侧闸阀的阀体之间的间隙进行密封的密封构件;对上述输送室侧的开口部进行开闭的输送室侧闸阀;设置在上述输送室侧闸阀中、对上述输送室的开口和上述输送室侧闸阀的阀体之间的间隙进行密封的密封构件;用于抑制上述工艺处理室侧闸阀和上述输送室侧闸阀之间的热传导的隔热件。
地址 日本东京都