发明名称 金属材料与微晶玻璃阳极键合用中间膜层材料
摘要 本发明提供了在真空环境下,用SiO2薄膜或Al-Si合金薄膜作为金属材料与微晶玻璃阳极键合的中间膜层材料,SiO2薄膜采用溶胶—凝胶法制备,在制备过程中,SiO2溶胶按照正硅酸乙酯∶无水乙醇∶H2O∶H+=1:1.5~10∶0.2~1∶0.005~0.02的体积比例配制;Al-Si合金薄膜由直流磁控溅射法制备,在制备过程中,靶材采用Al-Si合金靶。本发明利用上述中间膜层材料能够实现金属材料与微晶玻璃阳极键合,其方法是:在预处理后的金属材料表面镀上SiO2薄膜或Al-Si合金薄膜,并且对薄膜进行热处理,再将其和预处理后的微晶玻璃迅速放进阳极键合炉内,使之阳极键合,从而获得新的键合材料。
申请公布号 CN101417864B 申请公布日期 2011.02.09
申请号 CN200810197746.0 申请日期 2008.11.20
申请人 武汉理工大学 发明人 李宏;程金树;汤李缨;刘启明;熊德华;田培静
分类号 C03C27/00(2006.01)I;B81C3/00(2006.01)I 主分类号 C03C27/00(2006.01)I
代理机构 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 代理人 王守仁
主权项 一种金属材料与微晶玻璃阳极键合用中间膜层材料,其特征是所述的中间膜层材料,是指在真空环境下,采用SiO2薄膜或Al‑Si合金薄膜作为中间过渡层材料,来完成金属材料与微晶玻璃阳极键合的材料,其中:SiO2薄膜采用溶胶‑凝胶法制备,在制备过程中,SiO2溶胶按照正硅酸乙酯∶无水乙醇∶H2O∶H+=1∶1.5~10∶0.2~1∶0.005~0.02的体积比例配制;Al‑Si合金薄膜由直流磁控溅射法制备,在制备过程中,靶材采用Al‑Si合金靶,Si占合金靶的质量百分比为15~25%;所述SiO2薄膜由下述溶胶‑凝胶法制成:按照所述比例,将正硅酸乙酯与无水乙醇充分混合,在磁力搅拌器搅拌50~70分钟后,加入去离子水和HCl,继续搅拌50~70分钟,获得SiO2溶胶;搅拌结束后,将SiO2溶胶陈化3~5小时,再采用提拉法在金属材料表面上镀膜,镀膜完成后,在120~140℃下干燥0.8~1.2小时;所述Al‑Si合金薄膜由下述直流磁控溅射法制成,其工艺参数为:本底真空度6.5×10‑4Pa,工作真空度1~3Pa,溅射功率密度为3~6W/cm2,溅射温度室温~400℃。
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