沉积设备和使用沉积设备制造半导体装置的方法

摘要

提供一种沉积设备和一种制造半导体装置的方法。在所述方法中，准备具备气体源供应单元和液体源供应单元的反应腔室，且通过使用气体源在衬底上形成蚀刻停止层。随后，通过使用经汽化液体源和经汽化掺杂剂源在蚀刻停止层上形成层间绝缘层。以此方式，蚀刻停止层和层间绝缘层在同一反应腔室中在原位形成。

主权项

一种沉积设备，其特征在于，包括：反应腔室，其中形成反应空间；衬底支撑件和喷淋头，其安置于所述反应腔室中以彼此面对；气体源供应单元，其连接到所述喷淋头以供应气体源；液体源供应单元，其经安装以与所述气体源供应单元分离，且连接到所述喷淋头以供应液体源；以及反应气体供应单元，其经安装以与所述气体源供应单元和所述液体源供应单元分离，且连接到所述喷淋头以供应反应气体。