一种全湿刻蚀后去胶的方法

摘要

本发明公开一种全湿刻蚀后去胶的方法，属于LED制程工艺中GaN刻蚀后去胶，包括溶液配制和使用方法。采用碱性溶液，添加适量的双氧水，放入晶片，浸泡一段时间后，取出冲水后甩干，其晶片表面的光刻胶即被去除干净。本发明适合任何不与碱性溶液发生反应的衬底的光刻胶的去除，利用双氧水的强氧化性，可将光刻胶在溶液中有效的进行去除，此方法操作简单方便，流程极其简单，适合于大规模生产中光刻胶的去除，并且成本极低。

主权项

一种全湿刻蚀后去胶的方法，其步骤为：配制碱性溶液，将碱与水混合成均匀的碱性溶液；使用前加入双氧水；放入晶片，浸泡后取出冲水并甩干。