| 发明名称 | 提高监测晶片利用率的方法 | ||
| 摘要 | 本发明揭露了一种提高监测晶片利用率的方法，该提高监测晶片利用率的方法包括：提供监测晶片；利用所述监测晶片监控离子注入工艺；继续利用所述监测晶片监控快速热退火工艺。本发明可提高监测晶片的利用率，有利于节约测试成本。 | ||
| 申请公布号 | CN101969036A | 申请公布日期 | 2011.02.09 |
| 申请号 | CN201010241588.1 | 申请日期 | 2010.07.30 |
| 申请人 | 上海宏力半导体制造有限公司 | 发明人 | 郭国超 |
| 分类号 | H01L21/66(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/66(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 郑玮 |
| 主权项 | 一种提高监测晶片利用率的方法，包括：提供监测晶片；利用所述监测晶片监控离子注入工艺；继续利用所述监测晶片监控快速热退火工艺。 | ||
| 地址 | 201203 上海市张江高科技园区郭守敬路818号 | ||