| 发明名称 | 薄膜晶体管、薄膜晶体管的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种即使暴露于氢等离子体中也不发生剥离的金属布线膜。由紧贴层(51)和金属低电阻层(52)构成金属布线膜(20a)，该紧贴层(51)在铜中添加有添加金属而成，该金属低电阻层(52)配置在紧贴层(51)上，由纯铜构成。紧贴层(51)中包括含有由Ti、Zr或Cr中的至少一种构成的添加金属和氧的铜合金，当构成与硅层紧贴的源极电极和漏极电极时，即使暴露于氢等离子体中，紧贴层(51)和硅层的界面也不析出铜，在紧贴层(51)和硅层之间不发生剥离。当添加金属变多时，紧贴层(51)不会被用于对金属低电阻层(52)进行蚀刻的蚀刻液蚀刻，所以，能够蚀刻的最大的添加量成为上限。 | ||
| 申请公布号 | CN101971350A | 申请公布日期 | 2011.02.09 |
| 申请号 | CN200980109094.3 | 申请日期 | 2009.04.08 |
| 申请人 | 株式会社爱发科 | 发明人 | 高泽悟;石桥晓;中村久三;增田忠 |
| 分类号 | H01L29/786(2006.01)I;H01L21/285(2006.01)I;H01L21/3205(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L23/52(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/786(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 闫小龙;王忠忠 |
| 主权项 | 一种反交错型的薄膜晶体管的制造方法，具有：在处理对象物上形成栅极电极的工序；在所述栅极电极上形成栅极绝缘层的工序；在所述栅极绝缘层上形成半导体层的工序；在所述半导体层上形成欧姆接触层的工序；在所述欧姆接触层上形成金属布线膜的工序；对所述欧姆接触层和所述金属布线膜进行构图，形成第一、第二欧姆接触层、源极电极和漏极电极的工序，其特征在于，形成所述金属布线膜的工序包括：在真空环境中导入含有溅射气体和氧化性气体的气体，对含有包括Ti、Zr或Cr中的至少一种的添加金属和铜的铜合金靶进行溅射，在所述欧姆接触层上形成含有铜、所述添加金属和氧的紧贴层的工序。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||