| 发明名称 | 配线结构、薄膜晶体管基板及其制造方法、以及显示装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种能够省略在纯Al或Al合金的Al系合金配线与半导体层之间的阻障金属层的直接接触技术，其是可以在宽的工艺余度的范围将Al系合金配线与半导体层直接且可靠地连接的技术。本发明涉及一种配线结构，其为在基板之上从基板侧开始依次具备半导体层、纯Al或Al合金的Al系合金膜的配线结构，在所述半导体层和所述Al系合金膜之间含有从基板侧开始依次为(N、C、F)层以及Al-Si扩散层的层叠结构，所述(N、C、F)层为含有选自氮、碳和氟中的至少一种元素的层，所述Al-Si扩散层含有Al和Si，且所述(N、C、F)层中所含的氮、碳和氟中的至少一种的元素与所述半导体层中所含的Si结合。 | ||
| 申请公布号 | CN101971294A | 申请公布日期 | 2011.02.09 |
| 申请号 | CN200980108416.2 | 申请日期 | 2009.04.17 |
| 申请人 | 株式会社神户制钢所 | 发明人 | 川上信之;越智元隆;三木绫;森田晋也;横田嘉宏;福间信也;后藤裕史 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I;H01L29/417(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 李贵亮 |
| 主权项 | 一种配线结构，其特征在于，其为在基板之上从基板侧开始依次具备半导体层、纯Al或Al合金的Al系合金膜的配线结构，在所述半导体层和所述Al系合金膜之间含有从基板侧开始依次为(N、C、F)层以及Al‑Si扩散层的层叠结构，所述(N、C、F)层为含有选自氮、碳和氟中的至少一种元素的层，所述Al‑Si扩散层含有Al和Si，且所述(N、C、F)层中所含的氮、碳和氟中的至少一种的元素与所述半导体层中所含的Si结合。 | ||
| 地址 | 日本兵库县 | ||