| 发明名称 | 氧化锌晶体，它的生长方法和发光器件的生产方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及氧化锌晶体，它的生长方法和发光器件的生产方法。ZnO晶体生长方法具有下述步骤：(a)制备具有能够生长暴露Zn极性平面的ZnO晶体的表面的基质；(b)在基质表面上通过交替重复富Zn条件期间和富O条件期间供给Zn和O；和(c)在步骤(b)供给Zn和O的同时在基质表面上供给导电型确定杂质。 | ||
| 申请公布号 | CN101283122B | 申请公布日期 | 2011.02.09 |
| 申请号 | CN200680037146.7 | 申请日期 | 2006.08.08 |
| 申请人 | 斯坦雷电气株式会社 | 发明人 | 加藤裕幸;佐野道宏 |
| 分类号 | C30B23/08(2006.01)I;C23C14/08(2006.01)I;C30B29/16(2006.01)I | 主分类号 | C30B23/08(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 张平元 |
| 主权项 | ZnO晶体生长方法，包括下述步骤：(a)制备具有能够生长暴露Zn极性平面的ZnO晶体的表面的基质；(b)在所述基质表面上通过交替重复富Zn条件期间和富O条件期间供给Zn和O；和(c)在步骤(b)供给Zn和O的期间中在所述基质表面上供给导电型确定杂质。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||