| 发明名称 | 在硅衬底上制作台阶生长Mg<sub>x</sub>Zn<sub>1-x</sub>O薄膜的方法 | ||
| 摘要 | 在硅衬底上制作台阶生长MgxZn1-xO薄膜的方法属于半导体光电子材料制造技术领域。现有技术在硅衬底上引入缓冲层，要么在后续生长的MgxZn1-xO薄膜中引入外来杂质，要么造成MgxZn1-xO薄膜中的Mg原子或者Zn原子比例失调。本发明在硅衬底上生长MgxZn1-xO薄膜之前，在硅衬底表面制作规则分布的台阶，硅衬底表面因此被划分为顶层表面、底层表面两种，顶层表面、底层表面高度相差30～200nm，顶层表面面积之和小于底层表面面积之和。本发明用于在硅衬底上直接制备MgxZn1-xO薄膜。 | ||
| 申请公布号 | CN101969023A | 申请公布日期 | 2011.02.09 |
| 申请号 | CN201010244531.7 | 申请日期 | 2010.08.04 |
| 申请人 | 长春理工大学 | 发明人 | 王新;向嵘;李野;王国政;端木庆铎;田景全 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 长春科宇专利代理有限责任公司 22001 | 代理人 | 曲博 |
| 主权项 | 一种在硅衬底上制作台阶生长MgxZn1‑xO薄膜的方法，在硅衬底上生长MgxZn1‑xO薄膜，其特征在于，在硅衬底上生长MgxZn1‑xO薄膜之前，在硅衬底表面制作规则分布的台阶，硅衬底表面因此被划分为顶层表面、底层表面两种，顶层表面、底层表面高度相差30～200nm，顶层表面面积之和小于底层表面面积之和。 | ||
| 地址 | 130022 吉林省长春市朝阳区卫星路7089号 | ||