| 发明名称 | 半导体装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体装置及其制造方法，该半导体装置包含：半导体晶片，具有第一表面；导电电极，暴露于该第一表面；保护层，覆盖该半导体晶片，该保护层具有在该导电电极上的贯穿的保护层开口；重布线路层，在该保护层上，该重布线路层经由该保护层开口电连接该导电电极，该重布线路层具有铝层；镍/金层，在该重布线路层的该铝层的上表面；以及防焊层，在该保护层与该重布线路层上，暴露出该重布线路层的端子及其上方的该镍/金层。 | ||
| 申请公布号 | CN101969053A | 申请公布日期 | 2011.02.09 |
| 申请号 | CN201010273338.6 | 申请日期 | 2008.09.23 |
| 申请人 | 精材科技股份有限公司 | 发明人 | 蔡佳伦;倪庆羽;陈志杰;钱文正 |
| 分类号 | H01L23/48(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/48(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 陶凤波 |
| 主权项 | 一种半导体装置，包含：半导体晶片，具有第一表面；导电电极，暴露于该第一表面；保护层，覆盖该半导体晶片，该保护层具有在该导电电极上的贯穿的保护层开口；重布线路层，在该保护层上，该重布线路层经由该保护层开口电连接该导电电极；防焊层，在该保护层与该重布线路层上，暴露出该重布线路层的端子；以及金属层，嵌于该保护层中。 | ||
| 地址 | 中国台湾桃园县 | ||