改善晶片表面的纳米形貌的方法及线锯装置

摘要

本发明提供一种改善晶片表面的纳米形貌的方法，用于改善通过线锯装置切割晶棒而成的晶片表面的纳米形貌的方法，改善线锯装置所具备的进给平台的进给直线度，该进给平台是用以将晶棒往将钢线卷绕在多个滚轮之间所形成的钢线列进给；以及提供一种用来切割晶棒以制造晶片的线锯装置，其具备：将钢线卷绕在多个滚轮之间而形成的钢线列，用以固定晶棒而将其往钢线列进给的进给平台，以及用以将进给平台直线状地导引的直线导轨；进给平台的进给直线度，其波长20～200mm的成分满足PV值≤1.0μm。由此，提供一种通过消除具有周期性的切片波纹度而改善晶片表面的纳米形貌的方法及线锯装置。

主权项

一种改善晶片表面的纳米形貌的方法，用于改善通过线锯装置切割晶棒而成的晶片的表面的纳米形貌的方法，其特征在于：至少改善所述线锯装置所具备的进给平台的进给直线度，使得波长20～200mm的成分满足PV值≤1.0μm，以改善晶片表面的纳米形貌即具有周期性的切片波纹度，其中，所述进给平台是用以将晶棒往将钢线卷绕在多个滚轮之间所形成的钢线列进给。