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一种半导体激光吸收光谱气体分析方法，所述方法包括以下步骤：a.根据半导体激光器的工作环境温度范围和额定工作温度范围，确定半导体激光器的工作温度范围；根据半导体激光器的额定工作电流范围去确定半导体激光器的工作电流范围；b.根据半导体激光器的工作温度范围和工作电流范围，确定半导体激光器的最大输出光频率范围，并在所述最大输出光频率范围内选择至少两条被测气体的吸收谱线；根据半导体激光器工作电流范围，确定与所述选择谱线分别对应的激光器最大工作温度区间；根据所述最大工作温度区间，把所述半导体激光器的工作温度范围划分为至少二个工作温度区间，使任一工作温度区间对应被测气体的至少一条吸收谱线，且任一被测气体的吸收谱线对应的工作温度区间被该吸收谱线对应的最大工作温度区间所覆盖；c.测得所述半导体激光器的工作温度Twork，确定与所述工作温度Twork所在的由步骤b确定的工作温度区间对应的吸收谱线；d.根据半导体激光器的工作温度Twork和步骤c确定的吸收谱线的中心频率，确定并调整半导体激光器的工作电流；e.半导体激光器发出的光穿过被测气体并被传感器接收；对接收到的光信号进行吸收光谱分析，进而得到被测气体的被测参数并显示。 |
