| 发明名称 | 一种去除金属残留的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提出了一种去除金属残留的方法，包括：步骤1，提供一种半导体晶片，该半导体晶片上具有金属结构，其中，该金属结构中含有铝及分量比铝少的铜；步骤2，将该半导体晶片放入反应室；步骤3，利用探测装置探测铝Al，根据探测到的结果判断需要蚀刻参数；步骤4，通入至少包括蚀刻用气体，进行蚀刻，去除Al。利用本发明的方法可以更有效地去除残留。 | ||
| 申请公布号 | CN101969028A | 申请公布日期 | 2011.02.09 |
| 申请号 | CN200910152069.5 | 申请日期 | 2009.07.28 |
| 申请人 | 和舰科技(苏州)有限公司 | 发明人 | 郁新举;韩冬 |
| 分类号 | H01L21/3213(2006.01)I;H01L21/66(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/3213(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京连和连知识产权代理有限公司 11278 | 代理人 | 郑光 |
| 主权项 | 一种去除金属残留的方法，其特征在于包括：步骤1，提供一种半导体晶片，该半导体晶片上具有金属结构，其中，该金属结构中含有铝及铜；步骤2，将该半导体晶片放入反应室；步骤3，利用探测装置探测铝Al信号，根据探测到的结果判断需要蚀刻时间；步骤4，通入蚀刻用气体，进行蚀刻，去除Al。 | ||
| 地址 | 215025 江苏省苏州市苏州工业园区星华街333号 | ||