| 发明名称 | 包括相变材料层的多层结构及其制造方法 | ||
| 摘要 | 公开了一种制造多层结构的方法，其中该方法包括：在衬底上形成相变材料层；形成保护层；在保护层上形成另外的层；在第一构图步骤中对所述另外的层进行构图；通过第二构图步骤对保护层和相变材料层进行构图。具体地，第一构图步骤可以是使用化学刻蚀剂的刻蚀步骤。此外，可以在形成相变材料层之前在衬底上形成电极，例如电极可以形成于同一水平上，例如可以形成为平面结构，并且可以不形成垂直结构。 | ||
| 申请公布号 | CN101971382A | 申请公布日期 | 2011.02.09 |
| 申请号 | CN200980102262.6 | 申请日期 | 2009.01.12 |
| 申请人 | NXP股份有限公司;IMEC公司 | 发明人 | 罗曼·德洛格内;朱迪特·利松尼;瓦西里·帕拉斯基夫 |
| 分类号 | H01L45/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L45/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 倪斌 |
| 主权项 | 一种制造多层结构(100、200)的方法，所述方法包括：在衬底上形成电极(104、105、204、205)；在所述电极(104、105、204、205)上形成相变材料层(106、206)；形成保护层(107、207)；在所述保护层(107、207)上形成另外的层(108、208)；在第一构图步骤中对所述另外的层(108、208)进行构图；通过第二构图步骤对所述保护层(107、207)和所述相变材料层(106、206)进行构图。 | ||
| 地址 | 荷兰艾恩德霍芬 | ||