| 发明名称 | 利用稀有气体等离子的线宽粗糙度改进 | ||
| 摘要 | 一种形成光刻胶掩模的方法，可包括提供紫外线(UV)生产气体至具有衬底的真空室、离子化该UV生产气体以产生UV射线来辐照该衬底和通过该光刻胶掩模将特征蚀刻进该衬底。 | ||
| 申请公布号 | CN101971301A | 申请公布日期 | 2011.02.09 |
| 申请号 | CN200980108854.9 | 申请日期 | 2009.02.18 |
| 申请人 | 朗姆研究公司 | 发明人 | 程施元;刘身健;洪延姬;符谦 |
| 分类号 | H01L21/3065(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/3065(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人 | 周文强;李献忠 |
| 主权项 | 一种将特征蚀刻进在衬底上方并设在光刻胶掩模下方的蚀刻层的方法，包括：将该衬底设在真空室中；将高强度真空紫外线(VUV)生产气体提供到该真空室中；离子化该VUV生产气体以产生VUV射线来辐照该光刻胶掩模；以及通过该光刻胶掩模将特征蚀刻进该蚀刻层。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||