低温多晶硅薄膜制造方法

摘要

本发明涉及一种低温多晶硅薄膜制造方法，其包括下列步骤：a.提供一衬底，在该衬底上形成一非晶硅薄膜；b.提供一准分子激光发生器，其射出一面光源脉冲激光束，该面光源脉冲激光束照射该非晶硅薄膜形成一照射区域，该照射区域处于熔融状态；c.该准分子激光发生器移动一小距离，使该面光源脉冲激光束照射该非晶硅薄膜上形成另一照射区域，该两照射区域间形成一间隔区域，该照射区域与该间隔区域的界面发生非均匀成核，以形成低温多晶硅薄膜；d.重复步骤c，在该非晶硅薄膜上形成多个照射区域和多个间隔区域。此方法能节省照射时间，可增大所形成的低温多晶硅薄膜的晶粒尺寸，提高该低温多晶硅薄膜的电子迁移率。

主权项

一种低温多晶硅薄膜制造方法，其包括下列步骤：a.提供一衬底，在该衬底上形成一非晶硅薄膜；b.提供一准分子激光发生器，其射出一面光源脉冲激光束，该面光源脉冲激光束照射该非晶硅薄膜形成一照射区域，该照射区域处于熔融状态；c.该准分子激光发生器移动一小距离，使该面光源脉冲激光束照射该非晶硅薄膜上形成另一照射区域，该两照射区域间形成一间隔区域，其中，该照射区域与该间隔区域之间产生一横向温度梯度，该照射区域与该间隔区域的界面发生非均匀成核，晶核沿该非晶硅薄膜的该照射区域与该间隔区域的横向温度梯度方向长大，以形成低温多晶硅薄膜；d.重复步骤c，在该非晶硅薄膜上形成多个照射区域和多个间隔区域。