高弹体改性的化学机械抛光垫

摘要

一种化学机械抛光垫，其适合用来对半导体基材、光学基材和磁性基材中的至少一种进行抛光。所述抛光垫包含聚合物基质，在该聚合物基质中分布着高弹性聚合物。所述聚合物基质的玻璃化转变温度高于室温，所述高弹性聚合物在至少一个方向上的平均长度至少为0.1μm，所述高弹性聚合物在抛光垫中的体积含量为1-45体积％，所述高弹性聚合物的玻璃化转变温度低于室温。与由不使用高弹性聚合物的聚合物基质形成的抛光垫相比，所制得的抛光垫具有提高的金刚石修整器切削速率。

主权项

一种适合用来对半导体基材、光学基材和磁性基材中的至少一种进行抛光的化学机械抛光垫，所述抛光垫包含聚合物基质，在该聚合物基质中分布着高弹性聚合物，所述聚合物基质的玻璃化转变温度高于室温，所述聚合物基质包含源自二官能或多官能异氰酸酯的聚合物，所述聚合物基质包含选自以下的至少一种：聚醚脲、聚异氰脲酸酯、聚氨酯、聚脲、聚氨酯‑脲、它们的共聚物以及它们的混合物，且所述高弹性聚合物在至少一个方向上的平均长度至少为0.1μm，所述高弹性聚合物在抛光垫中的体积含量为1‑45体积％，所述高弹性聚合物的玻璃化转变温度低于室温，与由不使用高弹性聚合物的聚合物基质形成的抛光垫相比，所述的抛光垫具有提高的金刚石修整器切削速率，该切削速率根据修改的ASTM D1044‑05测量，其中使用的研磨测试仪是Taber Abraser，5150型，具有Calibrade H22砂轮，砂轮负荷为1,000克；且通过测量1000个周期后的样品重量损失来测定耐磨性。