高温分离法生产高纯度硅的方法

摘要

本发明涉及一种高纯度硅的生产方法，包括以下步骤：准备硅溶液，除渣，二次除渣，定向凝固分离；本发明解决了现有高纯度硅生产方法工艺过程复杂，能源消耗大，无法大规模工业生产的技术问题，具有生产工艺简单、能量损耗小、杂质含量少，高纯度硅的纯度高、消除了炉底上涨现象、反应速度快、炉体结构简单、对现有生产设备的改进很少的优点。

主权项

一种高温分离法生产高纯度硅的方法，其特征在于：其包括以下步骤：1]准备硅溶液：在矿热炉中生产硅溶液，通过还原反应生产硅溶液：加热炉温为2400～2600℃，温度保持时间为1.5～2.5h；停止加热，捣炉；重新加热至炉温为2400～2600℃，温度保持时间为1.5～2.5h；2]除渣：将温度不低于2000℃的高温硅熔液倒入有保温措施的结晶器中，温度保持在1500～1900℃，气压为1个标准大气压，结晶器底部中间通入空气和/或惰性气体使熔液为翻腾状态，保持1～2h；3]定向凝固分离：将除渣处理后的硅熔液自然冷却至环境温度，则凝固分离后得到高纯度硅层。