发明名称 |
一种MEMS非制冷双波段红外探测器及其制备方法 |
摘要 |
本发明公开了一种MEMS非制冷双波段红外探测器及其制备方法,该探测器包括硅衬底、底层电极、锚固于硅衬底上的微桥结构,其关键在于还包括位于微桥结构与硅衬底形成的空腔内并锚固于底层电极两侧、硅衬底上的桥式可控反射层。桥式可控反射层借助起支撑作用的锚点和设置于桥式可控反射层与底层电极之间的静电驱动实现上下调节,从而使共振吸收腔的腔长可控,实现了波长为3μm-5μm和8μm-12μm双波段的响应。该探测器制备方法中采用两次表面牺牲层工艺在硅衬底上制备微桥结构和桥式可控反射层,工艺简单、易于实现。 |
申请公布号 |
CN101713688B |
申请公布日期 |
2011.02.09 |
申请号 |
CN200910228000.6 |
申请日期 |
2009.12.11 |
申请人 |
中国电子科技集团公司第十三研究所 |
发明人 |
胥超;徐永青 |
分类号 |
G01J5/22(2006.01)I;G01J5/02(2006.01)I;B81B7/02(2006.01)I;B81C1/00(2006.01)I |
主分类号 |
G01J5/22(2006.01)I |
代理机构 |
石家庄国为知识产权事务所 13120 |
代理人 |
米文智 |
主权项 |
一种MEMS非制冷双波段红外探测器,其包括硅衬底(1)、底层电极(2)、锚固于硅衬底(1)上的微桥结构,其特征在于:还包括位于微桥结构与硅衬底(1)形成的空腔内并锚固于底层电极(2)两侧、硅衬底(1)上的桥式可控反射层(6);所述的桥式可控反射层(6)借助起支撑作用的锚点(5)和设置于桥式可控反射层(6)与底层电极(2)之间的静电驱动实现上下调节。 |
地址 |
050051 河北省石家庄市中国电子科技集团公司第十三研究所179信箱38分箱 |