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经营范围
发明名称
Method for fabricating vertical GaN-based light emitting diode
摘要
申请公布号
KR101012638(B1)
申请公布日期
2011.02.09
申请号
KR20080116385
申请日期
2008.11.21
申请人
发明人
分类号
H01L33/08
主分类号
H01L33/08
代理机构
代理人
主权项
地址
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