辐射检测器

摘要

本发明涉及一种辐射检测器，在辐射线感应型的半导体层、载流子选择性的高阻抗膜及共用电极的露出面上与硬化性合成树脂膜之间具有绝缘的非胺系的壁垒层。能够由该壁垒层进一步抑制半导体层和硬化性合成树脂膜的化学反应，能够防止流经半导体层的暗电流的增加。另外，由于壁垒层和半导体层不发生化学反应，所以也不会使半导体层劣化。另外，通过在硬化性合成树脂膜的上表面设有辅助板，从而能够制造不产生因温度变化引起的翘曲和龟裂的辐射检测器。

主权项

一种辐射检测器，其特征在于，具有：(a)由辐射线的射入生成载流子的辐射线感应型的半导体层；(b)形成在所述半导体层的上表面并选择载流子使其透过的高阻抗膜；(c)形成在所述高阻抗膜的上表面并对所述高阻抗膜及所述半导体层施加偏电压的共用电极；(d)形成在所述半导体层的下表面并对每个像素读出由所述半导体层生成的载流子的矩阵基板；(e)覆盖所述半导体层、所述高阻抗膜及所述共用电极的露出面整体的绝缘性的壁垒层；(f)覆盖所述壁垒层的表面整体的硬化性合成树脂膜；(g)固定在所述硬化性合成树脂膜的上表面并具有与矩阵基板相同程度的热膨胀系数的绝缘性的辅助板，(h)所述壁垒层对所述硬化性合成树脂膜具有粘接性，(i)所述壁垒层抑制所述半导体层和所述硬化性合成树脂膜的化学反应，(j)所述壁垒层不与所述半导体层发生化学反应。