半导体电容结构及其布局

摘要

本发明公开了一种半导体电容结构及其布局，其提供一种具有多个对称环型区段的金属-氧化层-金属电容结构。本发明的金属-氧化层-金属电容结构不需要使用额外的光掩模，工艺费用较便宜，此外，由于半导体工艺的进步，因此可以迭加数目相当大的金属层，而且因为金属层之间的距离也变得愈来愈小，所以可以得到愈来愈高的单位电容值。

主权项

一种半导体电容结构，其包含有：第一金属层，包含有：第一结构，其包含有：多个相互平行的第一区段，该多个第一区段具有转折或弯曲；多个相互平行的第二区段，该多个第二区段具有转折或弯曲；第三区段，耦接于该多个第一区段与该多个第二区段；第二结构，其包含有：多个相互平行的第四区段，该多个第四区段具有转折或弯曲；多个相互平行的第五区段，该多个第五区段具有转折或弯曲；第六区段，耦接于该多个第四区段与该多个第五区段；其中该第三区段与该第六区段皆延伸于一直线上，该多个第一区段自该第三区段的第一侧向外延伸，该多个第二区段自该第三区段的第二侧向外延伸，该第一侧是该第二侧的相反侧；其中该第四区段自该第六区段的第三侧向外延伸，该多个第五区段自该第六区段的第四侧向外延伸，该第三侧是该第四侧的相反侧；其中该多个第一区段及该多个第四区段平行交叉，该多个第二区段及该多个第五区段平行交叉，；第二金属层，包含有：第三结构，其包含有：多个相互平行的第七区段，该多个第七区段具有转折或弯曲；多个相互平行的第八区段，该多个第八区段具有转折或弯曲；第九区段，耦接于该多个第七区段与该多个第八区段；第四结构，其包含有：多个相互平行的第十区段，该多个第十区段具有转折或弯曲；多个相互平行的第十一区段，该多个第十一区段具有转折或弯曲；第十二区段，耦接于该多个第十区段与该多个第十一区段；其中该第九区段与该第十二区段皆延伸于一直线上，该多个第七区段自该第九区段的第一侧向外延伸，该多个第八区段自该第九区段的第二侧向外延伸，该第一侧是该第二侧的相反侧；其中该第十区段自该第十二区段的第三侧向外延伸，该多个第十一区段自该第十二区段的第四侧向外延伸，该第三侧是该第四侧的相反侧；其中该多个第七区段及该多个第十区段平行交叉，该多个第八区段及该多个第十一区段平行交叉；以及介电层，形成于该第一金属层与该第二金属层之间。