X惟读记忆器

摘要

Ｘ惟读记忆器中，一金属可变式地线与一聚合矽可变式地线合组成一可变式地线。「一金属可变式地线分别排列在数目固定之聚合矽可变式地线两侧的形式」被连续地排置。单号聚合矽可变式地线藉由特定聚合矽线连接一金属可变式地线，双号聚合矽可变式地线则藉由特定聚合矽线连接另一金属可变式地线，各金属可变式地线透过对应之驱动储存格电晶体连接地线端点。因此，金属可变式地线与聚合矽可变式地线可以小距离交替排列，积体密度得以改善。另外，字线长度与位元线静电电容得以减小，因此速度得以改善。

主权项

1.一种改良式X惟读记忆器,其中:横向拉长之紧合矽字线在垂直方向连续排列,复数个储存格电晶体水平地连结至每一聚合矽字线,金属字线与可变式地线在连接紧合矽字线的储存格电晶体之间交替排列,每一接点区连接对应之位元线,一可变式地线与储存格电晶体;其改良特征在于:可变式地线是由金属可变式地线与聚合矽可变式地线组成,「一金属可变式地线分别位于数目固定之紧合矽可变式地线两侧之单元组成」被呈连续排列,固定n条聚合矽可变式地线中的单号线藉由特定之聚合矽线连接金属可变式地线,双号线则藉由特定之聚合矽线连卷另一金属可变式地线,而该两金属可变式地线各自透过对应之驱动储存格电晶机连接地线丝端(terminal)。2.依申请专利范围第1项之改良式X惟读记忆器,其中该聚合矽可变式地线与金属可变式地线之连结构造,在每一特定储存格区块中被重覆性形成以减低聚合矽的电阻成分。3.依申请专利范围第1项之改良式X惟读记忆器,其中该字线之紧合矽成分与该特定聚合矽线者相同,但与聚合矽可变式地线者相异。4.依申请专利范围第1项之改良式X惟读记忆器,其中一矽化物(silicide)可变式地线取代一聚合矽可变式地线作为该可变式地线。5.依申请专利范围第1项之改良式X惟读记忆器,其中该固