| 主权项 |
1.一种半导体晶片之处理方法,主要予以处理半导体晶片之表面之方法,其特征为:(a)进行表面处理之前,以形成有用以透视半导体晶片(3)之所要被处理之面之背面用之透(贯通)孔之黑体发热器(12),使用热电隅束温度计(13)经由该贯通孔来量测半导体晶片(3)之所要被处理之面之背面,(b)在形成有用以透视半导体晶片(3)之所要被处理之面之背面之贯通孔(7)之晶片夹持具(5)保持半导体晶片(3)之后,经由该贯通孔使用热量隅束温度计(13),将该半导体晶片所要被处理之面之背面温度以非接触方式来量测,(c)以在(a)过程所量测之放射率来修正在(b)过程所量测之温度,以算出半导体晶片(3)之实际温度,(d)由控制晶片夹持具(5)之温度,以令半导体晶片(3)之实际温度在到达处理开始温度时,开始半导体晶片之表面处理,及(e)于半导体晶片(3)之表面处理中,以控制晶片夹持具(5)之温度,而维持半导体晶片之实际温度于预定之上限温度及下限温度之范围内。2.如申请专利范围第1项所述之半导体晶片之处理方法,其中,在到达(d)过程之处理开始温度之时刻,打开用以遮挡半导体晶片(3)之表面处理用之撑门板(9)。3.一种半导体晶片之处理装置,主要具备有至少二个之真空处理室,其特征为具备有:(a)在一真空处理室(负载锁定室)(2),具备用以量测半导体(3)之所要被处理之面之背面之放射率之放射率计(11);(b)在另一真空处理室(1)具备有:(i)用以进行半导体晶片(3)之表面处理之处理机构(10);(ii)该处理机构(10)与半导体晶片(3)之间,用以遮挡表面处理之挡门板(9);(iii)具备有加热,冷却手段(6),且形成可透视半导体晶片之所要被处理之面之背面之贯通孔(7)之晶片夹持具(5);及(iv)在该贯通孔(7)之轴线上被设置成与半导体晶片(3)之所要被处理之面之背面相对向之非接触过度量测手段(8);(c)定序器(14)具备有:(i)用以变换放射率计(11)及非接触温度量测手段(8)之输出为数位之A/D(类比/数値)变换器(15.16);(ii)用以被变换为数位之放射率计(11)之输出来修正被变换为数位之非接触温度量测手段(8)之输出用之放射率修正电路(17);(d)用以比较放射率修正电路(17)之输出与设定温度之同时,控制温度控制手段(19.24)用之处理开始温度管理机构(22);及(e)用以控制温度控制手段(19.24),使之放射率修正电路(17)之输出能被设定于其所设定之上限温度及下限温度之范围内之温度宽管理机构(23)。4.如申请专利范围第3项所述之半导体晶片之处理装置,其中,非接触温度量测手段(8)系热电偶束温度计。5.如申请专利范围第3项所述之半导体晶片之处理装置,其中,放射率计(11)系以放射率为1之黑体发热器(12)及热电偶束温度计(13)所构成。6.如申请专利范围第3项所述之半导体晶片之处理装置,其中,放射率修正电路(17)系以除法电路所构成。7.如申请专利范围第3项所述之半导体晶片之处理装置,其中,处理开始温度管理机构(22)系由用以比较对应于设定温度之电压及对应于放射率修正电路(17)之输出之电压用之电路所构成。8.如申请专利范围第3项所述之半导体晶片之处理装置,其中,温度宽度管理机构(23)系由用以比较对应于所设定之上限温度之电压与对应于放射率修正电路(17)之输出之电压用之电路,以及用以比较对应于所设定之下限温度之电压与对应于放射率修正电路(17)之输出之电压用之电路所构成。9.如申请专利范围第3项所述之半导体晶片之处理装置,其中,定序器(14)具备有令放射率修正电路(17)之输出以 |
