摘要 |
Au bas d'une colonne (COLi) de cellules-mémoires (CEL) du type SRAM à cinq transistors sans port d'accès, on place une cellule supplémentaire (CLS), de structure identique aux cellules (CEL), qui permet l'écriture et la lecture d'une données dans une cellule-mémoire (CEL) de la colonne sans utiliser d'amplificateur de lecture.
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