| 主权项 |
1﹒一种用以制造红外线电荷耦合元件之方法,系 包含下列步骤:(1)以传 统方法制造一具有Pt─SiSchottky屏障(Pt─SisCh ottky─barrier)二极体结构之IRCCD,该结构上具有 两层蚀刻率相差甚大之第一和第二氧化层;(2)加第 一道光罩,蚀刻欲 挖取接触窗之区域处最上方的第一层氧化层,使该 区域仅留下第二层氧化 层;(3)移除第一道光罩,加第二道光罩,蚀刻欲挖取 接触窗之区域, 以做接触窗;(4)以金属溅镀方式沉积金属于该接触 窗上和该IRCC D之反射区上,并做金属蚀刻,同时做金属连线和反 射器之制作;和(5 )金属蚀刻完成后,去除第三道光罩,沉积一护层,即 完成该IRCCD 之制造。 2﹒根据申请专利范围第1项之方法,其中该蚀刻第 一氧化层之步骤能使电荷 耦合元件(CCD)之制程与红外线侦测器(IRDetrctor)之 制程分开,而使IRCCD之光共振腔制作得于此步骤中 一次完成。 3﹒根据申请专利范围第1项之方法,其中在该金属 沉积步骤中,并同时做I RCCD之反射区金属沉积和接触窗之金属连线等步骤 。图示简单说明: 图1所示为根据本发明之方法制作到 一PtSi schotty-barrier二极体结构完 成时之IRCCD结构剖面图; 图2所示为根据本发明之方法,制作 IRCCD之第二步骤图,其中蚀刻如图1所 示之IRCCD中欲挖掘接触窗区域上之LTO 13层。 图3所示为根据本发明之方法,制作 IRCCD之第三步骤图,其于蚀刻LTO13后 ,再加一光罩,蚀刻欲挖掘该接触窗之区 域,以制作接触窗之位置; 图4所示为根据本发明之方法,制作 IRCCD之第四步骤图,其以金属溅镀方式 沉积金属; 图5所示为根据本发明之方法,制作 IRCCD之完成的结构剖面图; 图6所示为以一习知方法制作IRCCD 之完成的结构剖面图;和 IRCCD之完成的结构剖面图。 |
