| 主权项 |
1﹒一种组成物,包含: a)热固性、热塑性或结构交连之聚合物, 及 b)在聚合物基料中呈针晶网状结构之式( I)电荷转移错合物;该电荷转移错合 物占该组成物重量之0﹒01%至30% 式中A系化合物(Ⅱ)或其混合物, 其中诸R相同,系氢,R1系氢,X1 , X2 ,X3及X4系=N─CH,及 B系化合物(Ⅲ), 其中R2.R3 ,R4及R5各自独立,系氢 或甲基,或R2和R3 ,以及R4和R5一起 ,各自独立,系─Z2─(CH2)─Z2─ ,Y1及Y2各自独立,系─S─或─Se─ ,及Z2系─S─, 2﹒根据申请专利范围第1项之组成物,其中 化合物(Ⅲ)之还原电位大于0至4﹒2伏 特之间(以标准甘汞电极为准)。 3﹒根据申请专利范围第1项之组成物,其中 式(Ⅲ)中R2及R3,和R4及R5相同。 4﹒根据申请专利范围第1项之组成物,其中 式(Ⅲ)中之R2至R5相同。 5﹒根据申请专利范围第1项之组成物,其中 式(Ⅲ)中之Y1及Y2各为─S─。 6﹒根据申请专利范围第1项之组成物,其中 式(I)中CT错合物系式中R系氢,R1 系氢,X1至X4系=N─CH之式(II)化 合物;或式中R2及R3,R4及R5,或 R2至R5相同,系氢或甲基,或R2及R3 及R4及R5一起各自独立系─Z2─(CH2 )Z2─,Y1及Y2系─S─,Z2系─ S─之式(Ⅲ)化合物。 7﹒根据申请专利范围第1项之组成物,其中 式(I)之CT错合物系式中A,系5,7 ,12,14─,戊省四氰亚胺,B系化合物 (mb) 式中Y1及Y2各为─S─;R2,R3, R4及R5各自独立,系氢或甲基;或R2 及R3,和R4及R5一起各为─S─CH2CH2 ─S─。 8﹒根据申请专利范围第7项之组成物,其中 式(I)之CT错合物系式(I)中A系5 ,7,12,14─戊省四氰亚胺,B系选白 四硫富瓦烯,四甲基四硫富瓦烯及四硒富 瓦烯。 9﹒根据申请专利范围第8项之组成物,其中 电荷转移错合物占该组成物重量之0﹒01% 至10%。 10﹒根据申请专利范围第1项之组成物,其 中热塑性聚合物选自聚烯烃,聚苯乙烯, 聚氯乙烯,聚偏二氯乙烯,聚偏二氟乙烯 ,聚丙烯酸酯,聚甲基丙烯酸酯,聚醯胺 ,聚酯,聚碳酸酯,芳族聚,芳族聚醚 ,芳族聚醚,聚酯亚胺及聚乙烯唑。 11﹒根据申请专利范围第1项之组成物,其 中热固性聚合物系环氧树脂。 12﹒根据申请专利范围第1项之组成物,其 经成形为模塑物,薄膜,薄板,纤维或在 基材的部份或整个表面形成涂层。 13﹒根据申请专利范围第12项之组成物,其 中涂层的厚度为0﹒01至5000微米。 14﹒根据申请专利范围第13项之组成物,其 中涂层的厚度为0﹒1至1000微米。 15﹒一种制造申请专利范围第1项之新颖组 成物之方法,包含, (a) 在热塑性聚合物中混入CT错合物(I); (b)在热固性或结构可交连之聚合物之一 种或多种成分中混入CT错合物(I),然 后将此混合物聚合成热固性或结构交连聚 合物,或 (c)在有机溶剂中溶解化合物(II)或富 瓦烯衍生物(Ⅲ)及热塑性聚合物或热固 性或结构可交连聚合物之一种或多种成分 ,混合此溶液和热固性或结构可交连聚合 物中之其他任意成分,和富瓦烯衍生物( Ⅲ)或化合物(Ⅱ)之溶液,移除溶剂, 使可熟化之混合物聚合而得热固性或结构 交连之聚合物。 16﹒根据申请专利范围第15项之方法,可与 成形制程并合。 17﹒一种CT错合物(Ia): 式中A系化合物(Il)或其混合物: 其中诸R相同,系氢;R1系氢;X1, X2,X3及X4系=N─CH,及 B系化合物(Ⅲ): 其中R2,R3,R4及R5各自独立,系氢 或甲基;或R2和R3,以及R4和R5一起 ,各自独立,系─Z2─(CH2)─Z2─ ;Y1及Y2各自独立,系─S─或─Se─ ;Z2系─S─;但[(5,7,12,14 一丁省四氰亚胺)(四硫富瓦烯)]除外。 18﹒根据申请专利范围第17项之CT错合物 (Ia)[(5,7,12,14─丁省四氰亚胺 )(四硫富瓦烯)除外],呈针晶之形状 者。 19﹒根据申请专利范围第18项之CT错合物 (Ia)系做为导电体。 20﹒根据申请专利范围第1项之组成物,系 做为防静电成分中之抗静电处理模塑元件 或做为抗静电处理之模塑品。 21﹒根据申请专利范围第1项之组成物,系 做为导电体。 22﹒根据申请专利范围第1项之组成物,系 做为电极材料。 23﹒根据申请专利范围第1项之组成物,呈 薄膜或薄片状,系做为电容器中电荷携体。 |
