发明名称 |
Verwendung von Dielektrika mit großem ε als sehr selektive Ätzstoppmaterialien in Halbleiterbauelementen |
摘要 |
Eine Abstandshalterstruktur in komplexen Halbleiterbauelementen wird auf der Grundlage eines dielektrischen Materials mit großem ε hergestellt, das für einen höheren Ätzwiderstand im Vergleich zu konventionell verwendeten Siliziumdioxidschichten sorgt. Folglich liefert eine geringere Dicke des Ätzstoppmaterials dennoch einen höheren Ätzwiderstand, wodurch negative Effekte verringert werden, etwa ein Dotierstoffverlust in Drain- und Sourceerweiterungsgebieten, das Erzeugen einer ausgeprägten Oberflächentopographie und dergleichen, wie sie typischerweise mit konventionellen Abstandshaltermaterialsystemen verknüpft sind. |
申请公布号 |
DE102009035438(A1) |
申请公布日期 |
2011.02.03 |
申请号 |
DE20091035438 |
申请日期 |
2009.07.31 |
申请人 |
GLOBALFOUNDRIES DRESDEN MODULE ONE LLC & CO. KG;GLOBALFOUNDRIES INC. |
发明人 |
KAMMLER, THORSTEN;RICHTER, RALF;LENSKI, MARKUS;GRASSHOFF, GUNTER |
分类号 |
H01L21/311;H01L21/265;H01L21/316 |
主分类号 |
H01L21/311 |
代理机构 |
|
代理人 |
|
主权项 |
|
地址 |
|