发明名称 太阳电池
摘要 本发明之目的是提供一种变换效率高,制造成本低而且能量回收年数短之太阳电池。本发明之太阳电池之构成包含有:(a)第1导电型之第1半导体层11,具有第1电极19A;(b) 与第1导电型相反之第2导电型之第2半导体层12,形成第1半导体层11之上方,具有第2电极19B;(c)第3半导体层13,形成第1半导体层11和第2半导体层12之间,所具有之带间隙小于第1半导体层之带间隙和第2半导体层之带间隙;(d)第1缓冲层15,形成在第1半导体层11和第3半导体层13之间,用来缓冲第1半导体层和第3半导体层之格子之不整合;和(e)第2缓冲层16,形成在第2半导体层12和第3半导体层13之间,用来缓冲第2半导体层和第3半导体层13之格子之不整合。
申请公布号 TW240341 申请公布日期 1995.02.11
申请号 TW083100949 申请日期 1994.02.04
申请人 新力股份有限公司 发明人 羽根邦夫;松下孟史;搭兰帕尔哥塞因;碓井节夫;詹那山威斯特瓦特
分类号 H01L31/04 主分类号 H01L31/04
代理机构 代理人 何金涂 台北巿大安区敦化南路二段七十七号八楼
主权项
地址 日本