| 主权项 |
1.一种半导体积体电路用金属接触窗的制造方法,适用于对具有金属层、平坦化SOG及形成上述SOG上的介电层的半导体基板予以开设金属接触窗,而上述半导体电路用金属接触窗的制造方法包括下列步骤:于上述介电层上形成罩幕层;于上述罩幕层形成光阻层,且上述光阻层于既定位置形成有开口;经由上述开口去除上述罩幕层,而于上述罩幕层形成开窗;去除上述光阻层;以及以上述罩幕层为罩幕,对上述介电层及SOG先施行湿蚀刻而后施行乾蚀刻,而形成上述金属接触窗;藉此,于上述金属接触窗露出之SOG部份不致于受到去除上述光阻层时的电浆或各种湿步骤处理而保持其乾燥状态。2.如申请专利范围第1项所述之半导体积体电路用金属接触窗的制造方法,其中,更包括去除上述罩幕层的步骤。3.如申请专利范围第1或2项所述之半导体积体电路用金属接触窗的制造方法,其中,更包括形成另一金属层的步骤。4.如申请专利范围第1或2项所述之半导体积体电路用金属接触窗的制造方法,其中,上述罩幕层系由氮化钛构成。5.如申请专利范围第1或2项所述之半导体积体电路用金属接触窗的制造方法,其中,上述罩幕层系由铝合金构成。6.如申请专利范围第1或2项所述之半导体积体电路用金属接触窗的制造方法,其中,上述罩幕层系由氮化钽所构成。7.一种半导体积体电路用金属接触窗的制造方法,适用于对具有金属层的半导体基板予以开设金属接触窗,而上述半导体电路用金属接触窗的制造方法包括下列步骤:于上述金属层上形成第一介电层;于上述第一介电层上形成第二介电层,且上述第二介电层具有SOG;于上述第二介电层上形成第三介电层;于上述第三介电层上形成罩幕层;于上述罩幕层上形成光阻层,且上述光阻层于既定位置形成有开口;经由上述开口去除上述罩幕层,而于上述罩幕层形成开窗;去除上述光阻层;以及以上述罩幕层为罩幕,对上述第一、第二及第三介电层施行乾蚀刻,而形成上述金属接触窗;藉此,于上述金属接触窗露出之SOG部份不致于受到去除上述光阻层时的电浆或各种湿步骤处理而保持其乾燥状态。8.如申请专利范围第7项所述之半导体积体电路用金属接触窗的制造方法,其中,更包括去除上述罩幕层的步骤。9.如申请专利范围第7或8项所述之半导体积体电路用金属接触窗的制造方法,其中,更包括形成另一金属层的步骤。10.如申请专利范围第7或8项所述之半导体积体电路用金属接触窗的制造方法,其中,上述罩幕层系由氮化钛构成。11.如申请专利范围第7或8项所述之半导体积体电路用金属接触窗的方法,其中,上述罩幕层系由铝合金构成。12.如申请专利范围第7或8项所述之半导体积体电路用金属接触窗的制造方法,其中,上述罩幕层系由氮化钽所构成。第1图(a)至(e)系显示用以说明习知半导体积体电路用金属接触窗的制造方法的剖面图;以及第2图(a)至(f)系显示用以说明本发明之半导体积体电路用金属接触窗 |
