发明名称 |
有机薄膜晶体管、其制造方法和平板显示器 |
摘要 |
本发明涉及一种有机薄膜晶体管(OTFT)、一种制造该OTFT的方法和一种具有该OTFT的有机电致发光显示器。本发明防止有机半导体层的表面损伤并降低关电流。该OTFT包括衬底、在衬底上形成的源电极和漏电极以及在衬底上形成的具有设置在源电极和漏电极之上和之间的沟道层的半导体层。另外,该OTFT包括在半导体层上形成的栅绝缘层、穿过半导体层和栅绝缘层形成以将沟道层分开的分隔图案以及在沟道层上面的栅绝缘层上形成的栅电极。 |
申请公布号 |
CN1790749B |
申请公布日期 |
2011.02.02 |
申请号 |
CN200510119451.8 |
申请日期 |
2005.11.10 |
申请人 |
三星移动显示器株式会社 |
发明人 |
安泽;具在本;徐旼彻 |
分类号 |
H01L29/786(2006.01)I;H01L51/05(2006.01)I;H01L27/32(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L51/40(2006.01)I;H05B33/12(2006.01)I;H05B33/10(2006.01)I |
主分类号 |
H01L29/786(2006.01)I |
代理机构 |
北京德琦知识产权代理有限公司 11018 |
代理人 |
罗正云;宋志强 |
主权项 |
一种薄膜晶体管,包括:衬底;在所述衬底上形成的源电极和漏电极;在所述衬底上形成的半导体层;在所述半导体层上形成的栅绝缘层;穿过所述半导体层和所述栅绝缘层形成的分隔图案;以及在沟道层上面的所述栅绝缘层上形成的栅电极,其中所述半导体层具有设置在所述源电极和所述漏电极之上和之间的沟道层;其中,所述半导体层包括有机半导体层,并且所述分隔图案具有凹槽形状。 |
地址 |
韩国京畿道水原市 |