| 发明名称 | 在Si衬底上分子束外延生长GeSn合金的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种在Si衬底上分子束外延生长GeSn合金的方法，包括如下步骤：步骤1：在Si衬底上生长一层第一Ge材料层；步骤2：在第一Ge材料层上生长一层第二Ge材料层；步骤3：在第二Ge材料层上生长一层第一GeSn合金层；步骤4：在第一GeSn合金层上生长一层第二GeSn合金层，完成材料的生长。 | ||
| 申请公布号 | CN101962802A | 申请公布日期 | 2011.02.02 |
| 申请号 | CN201010231169.X | 申请日期 | 2010.07.14 |
| 申请人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明人 | 苏少坚;汪巍;成步文;王启明;张广泽;胡炜玄;白安琪;薛春来;左玉华 |
| 分类号 | C30B23/02(2006.01)I;C30B25/02(2006.01)I;H01L21/20(2006.01)I | 主分类号 | C30B23/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 汤保平 |
| 主权项 | 一种在Si衬底上分子束外延生长GeSn合金的方法，包括如下步骤：步骤1：在Si衬底上生长一层第一Ge材料层；步骤2：在第一Ge材料层上生长一层第二Ge材料层；步骤3：在第二Ge材料层上生长一层第一GeSn合金层；步骤4：在第一GeSn合金层上生长一层第二GeSn合金层，完成材料的生长。 | ||
| 地址 | 100083 北京市海淀区清华东路甲35号 | ||