| 发明名称 | 驻极体和驻极体电容器 | ||
| 摘要 | 以覆盖成为驻极体的带电氧化硅膜105的方式，来形成氮化硅膜103及氮化硅膜106。 | ||
| 申请公布号 | CN1883020B | 申请公布日期 | 2011.02.02 |
| 申请号 | CN200480034059.7 | 申请日期 | 2004.11.12 |
| 申请人 | 松下电器产业株式会社 | 发明人 | 山冈彻;小仓洋;三由裕一;佐佐木智幸 |
| 分类号 | H01G7/02(2006.01)I;H04R19/01(2006.01)I | 主分类号 | H01G7/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 汪惠民 |
| 主权项 | 一种驻极体，其特征在于：包括：带电的氧化硅膜，以覆盖所述氧化硅膜的上面和侧面的方式形成的第1绝缘膜，以及以覆盖所述氧化硅膜的下面的方式形成的第2绝缘膜，所述第1绝缘膜和所述第2绝缘膜为氮化硅膜。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||