| 发明名称 | 单晶硅拉晶用石英坩埚及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种单晶硅拉晶用石英坩埚，具有石英玻璃形成的外侧层与内侧层之两层结构，其特征在于：该内侧层由坩埚侧断面上看，至少由其硅熔液面的单晶硅拉晶开始位置至拉晶终止位置之间，形成有峰部与谷部的波状内面形状，而且，当由坩埚的开口上端至单晶硅拉晶开始位置的距离设为100时，只有由上述开口上端起至40～100之范围的相应位置的坩埚部分为结晶质。 | ||
| 申请公布号 | CN101965418A | 申请公布日期 | 2011.02.02 |
| 申请号 | CN200980107029.7 | 申请日期 | 2009.03.02 |
| 申请人 | 日本超精石英株式会社 | 发明人 | 志满津敦;佐藤忠广 |
| 分类号 | C30B15/10(2006.01)I;C03B20/00(2006.01)I;C30B29/06(2006.01)I | 主分类号 | C30B15/10(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) 31218 | 代理人 | 翟羽;唐秀萍 |
| 主权项 | 一种单晶硅拉晶用石英坩埚，具有石英玻璃形成的外侧层与内侧层之两层结构，其特征在于：上述内侧层由坩埚侧断面上看，至少由其硅熔液面的单晶硅拉晶开始位置至拉晶终止位置之间，形成有峰部与谷部的波状内面形状；并且，当由坩埚的开口上端至单晶硅拉晶开始位置的距离设为100时，只有由上述开口上端起至40～100之范围的相应位置之坩埚部分为结晶质。 | ||
| 地址 | 日本秋田县 | ||