| 发明名称 | 具有自对准硅化物接触的功率器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种具有自对准硅化物层的改进型功率器件及其制作方法。功率器件的一个范例是垂直结构功率器件，所述器件通过至少能够基本实现自对准的硅化物(例如自对准硅化物Salicide)工艺，在栅区和体接触区上形成接触。范例器件还可包括一个或多个隔离侧墙，并至少基本上自对准于栅区和体接触区边缘之间。还可以通过对器件进行离子注入，并至少基本上自对准于隔离侧墙，形成所述体接触区。所述方法还可包括至少基本上自对准的硅刻蚀工艺。 | ||
| 申请公布号 | CN101964355A | 申请公布日期 | 2011.02.02 |
| 申请号 | CN201010277131.6 | 申请日期 | 2010.09.09 |
| 申请人 | 成都芯源系统有限公司 | 发明人 | 唐纳德·R·迪斯尼;奥格杰·米历克 |
| 分类号 | H01L29/06(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/06(2006.01)I |
| 代理机构 | 成都九鼎天元知识产权代理有限公司 51214 | 代理人 | 徐宏;詹永斌 |
| 主权项 | 一种功率器件，其特征在于，包括：初始层；在所述初始层上形成的体接触区；栅区，和所述初始层被栅氧层隔开；隔离侧墙，对准于所述栅区和所述体接触区的边缘之间；栅硅化物层，形成于所述栅区之上；以及体接触硅化物层，形成于所述体接触区之上。 | ||
| 地址 | 611731 四川省成都市高新西区出口加工区（西区）科新路8号 | ||