发明名称 LED芯片结构
摘要 本发明公开了一种LED芯片结构,包括衬底、覆盖在所述衬底正面一侧的N型层、与所述N型层电连接的第一引出电极、覆盖在所述N型层正面一侧的P型层、覆盖在所述P型层正面一侧的透明导电膜以及与所述透明导电膜电连接的第二引出电极,所述衬底反面一侧覆盖有反射及红外透过滤光片;所述反射及红外透过滤光片对所述LED芯片发出的光的波段具有高反射和红外透过效果。本发明提高了LED芯片的光通量并且减少LED芯片热量的聚集,降低了LED芯片的温度,延长了使用寿命。
申请公布号 CN101964387A 申请公布日期 2011.02.02
申请号 CN201010270078.7 申请日期 2010.08.25
申请人 柳翠;唐健 发明人 柳;唐健
分类号 H01L33/42(2010.01)I;H01L33/44(2010.01)I 主分类号 H01L33/42(2010.01)I
代理机构 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 代理人 范晴
主权项 一种LED芯片结构,其特征在于:包括衬底(1)、覆盖在所述衬底(1)正面一侧的N型层(2)、与所述N型层(2)电连接的第一引出电极(3)、覆盖在所述N型层(2)正面一侧的P型层(4)、覆盖在所述P型层(4)正面一侧的透明导电膜(5)以及与所述透明导电膜(5)电连接的第二引出电极(6),所述衬底(1)反面一侧覆盖有反射及红外透过滤光片(7);所述反射及红外透过滤光片(7)对所述LED芯片发出的光的波段具有高反射和红外透过效果。
地址 201102 上海市闵行区莲花路425弄32号401室