发明名称 |
高速记忆体资料流动的控制方法 |
摘要 |
一种高速记忆体资料流动的控制方法,主要可改善记忆体装置内的存取周期时间,该记忆体装置具有待命、读取以及写入三个运作状态;首先于待命状态期间,资料线路予以预充电,再于写入状态时,资料线路不进行预充电,然后,于读取状态时,该资料线路同样不进行预充电,从写入状态过渡至读取状态期间,资料线路进行预充电。 |
申请公布号 |
CN1787109B |
申请公布日期 |
2011.02.02 |
申请号 |
CN200410101987.2 |
申请日期 |
2004.12.10 |
申请人 |
钰创科技股份有限公司 |
发明人 |
袁德铭;沈俊吉 |
分类号 |
G11C11/409(2006.01)I;G11C7/00(2006.01)I;G11C8/00(2006.01)I |
主分类号 |
G11C11/409(2006.01)I |
代理机构 |
北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司 11139 |
代理人 |
孙皓晨 |
主权项 |
一种高速记忆体资料流动的控制方法,其特征在于:其是于该记忆体的待命、读取以及写入三个运作状态时,使该记忆体内的资料线路得以预充电,该方法包括:a)于待命状态期间,资料线路予以预充电;栏位预充电状态在待命时为ON;位元选取确立之前,栏位预充电状态是处于OFF状态;b)于写入状态时,资料线路不进行预充电;于连续性写入当中,栏位预充电得保持于OFF状态;c)于读取状态时,该资料线路同样不进行预充电;d)从写入状态过渡至读取状态期间,资料线路进行预充电。 |
地址 |
中国台湾新竹市新竹科学工业园区科技五路六号 |