包含双极性晶体管及薄枚电容的半导体元件

摘要

本实用新型涉及一种包含双极性晶体管及薄枚电容的半导体元件，尤指一种可缩小电路面积的包含双极性晶体管及薄枚电容的半导体元件，其在双极性晶体管制程中，利用隔离各元件的隔离绝缘层上方的空间或保护绝缘层上，形成一多晶硅层-绝缘层-多晶硅层电容、一多晶硅层-绝缘层-金属层或一金属层-绝缘层-金属层电容，不仅可缩小电路面积，且可减少制程步骤，大幅降低制作成本。

主权项

一种包含双极性晶体管及薄枚电容的半导体元件，其特征在于包含：基板；外延层，形成于该基板上；复数个隔离埋层，分别将该外延层隔离为复数个元件区；复数个隔离绝缘层，分别形成于各隔离埋层上；复数个双极性晶体管，分别形成于各元件区中；保护绝缘层，覆盖于各元件区及隔离绝缘层上；至少一个薄枚电容，形成于该保护绝缘层上对应于隔离绝缘层的位置。