发明名称 |
通过改进电子态密度的热电优值提高 |
摘要 |
提供热电材料及制造热电材料的方法。热电材料包括至少一种IV族元素和至少一种VI族元素的掺杂化合物。化合物掺杂有选自下述的至少一种掺杂剂:至少一种IIa族元素、至少一种IIb族元素、至少一种IIIa族元素、至少一种IIIb族元素、至少一种镧系元素、和铬。至少一种IV族元素位于第一亚晶格位置上,而至少一种VI族元素位于第二亚晶格位置上,并且至少一种IV族元素占第一亚晶格位置的至少95%。化合物在高于500K的温度下具有大于0.7的峰值热电优值ZT值。还要求保护包含此类材料的热电装置及其用途。 |
申请公布号 |
CN101965312A |
申请公布日期 |
2011.02.02 |
申请号 |
CN200980107912.6 |
申请日期 |
2009.01.13 |
申请人 |
俄亥俄州立大学研究基金会 |
发明人 |
J·哈里曼斯;V·杰弗维奇 |
分类号 |
C01B19/00(2006.01)I;H01L35/16(2006.01)I;H01L35/34(2006.01)I |
主分类号 |
C01B19/00(2006.01)I |
代理机构 |
北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 |
代理人 |
赵蓉民;张全信 |
主权项 |
热电材料,其包含至少一种IV族元素和至少一种VI族元素的掺杂化合物,其中所述化合物掺杂有选自下述的至少一种掺杂剂:至少一种IIa族元素、至少一种IIb族元素、至少一种IIIa族元素、至少一种IIIb族元素、至少一种镧系元素、和铬,其中所述至少一种IV族元素位于第一亚晶格位置上,而所述至少一种VI族元素位于第二亚晶格位置上,其中所述至少一种IV族元素占所述第一亚晶格位置的至少95%,其中所述化合物在高于500K的温度下具有大于0.7的峰值热电优值ZT值。 |
地址 |
美国俄亥俄州 |